دانلود پاورپوینت حافظه ها 9 اسلاید

دانلود حافظه ها 9 اسلاید تحقیق حافظه ها 9 اسلاید مقاله حافظه ها 9 اسلاید حافظه ها 9 اسلاید

قسمتی از محتوی ورد

تعداد اسلاید : 9 صفحه

Y FLASH حافظه های زیر نظر : استاد مهندس سلطانی تنظیم : افسانه عبدی حافظه ها ی الكترونیكی با اهداف متفاوت و به اشكال گوناگون تاكنون طراحی و عرضه شده اند.
حافظه فلش ، یك نمونه از حافظه های الكترونیكی بوده كه برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، كنسول بازیهای كامپیوتری و .
.
.
استفاده می گردد.
حافظه فلش اغلب مشابه یك هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد : · تراشهBIOS موجود در كامپیوتر · CompactFlash كه در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
· SmartMedia كه اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد · Memory Stick كه اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
· كارت های حافظه PCMCIA نوع I و II · كارت های حافظه برای كنسول های بازیهای ویدئویی حافظه های الكترونیكی حافظه فلاش یك نوع خاص از تراشه های EEPROM است .
حافظه فوق شامل شبكه ای مشتمل بر سطر و ستون است .
در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد.
دو ترانزیستور فوق توسط یك لایه نازك اكسید از یكدیگر جدا شده اند.
یكی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود.
Floatino gate صرفا” به سطر (WordLine) متصل است .
تا زمانیكه لینك فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یك ذخیره خواهد بود.
بمنظور تغییر مقدار یك به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد.
از Tunneling بمنظور تغییر محل الكترون ها در Floating gate استفاد می شود.
یك شارژ الكتریكی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.
شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .
در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .
شارژ فوق باعث می گردد كه ترانزیستور floating gate مشابه یك “پخش كننده الكترون ” رفتار نماید .
الكترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اكسید به دام افتاد و یك شارژ منفی را باعث می گردند.
الكترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یك صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.
دستگاه خاصی.
مبانی حافظه فلش با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد كرد.
در صورتیكه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اینصورت مقدار یك را دارا خواهد بود.
زمانیكه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغییر پیدا خواهد كرد.
یك تراشه EEPROM دارای گیت هائی است كه تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یك را دارا است در این نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پیش بینی شده در زمان طراحی ( بكمك ایجاد یك میدان الكتریكی) استفاده می گردد.
در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را كه ” بلاك ” نامیده می شوند، را حذف كرد.
این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاك هائی كه معمولا” 512 بایت می باشند ( به جای یك بایت در هر لحظه ) نوش